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該設備是***個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備。 采用真空進樣室進樣可進行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴大了允許的溫度范圍。

 
具有工藝靈活性，適用于化合物半導體，光電子學，光子學，微機電系統和微流體技術， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，詳情如下。

主要特點

· 可處理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）預制和試生產的能力

· 選擇單晶片/批處理或盒式進樣，采用真空進樣室。 該PlasmalabSystem100可以集成到***個集群系統中，采用中央機械手傳送晶片，生產工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用***系列的電極進行襯底溫度控制，其溫度范圍為-150 ° C至700° C

· 用于終端檢測的激光干涉和/或光發射譜可安裝在Plasmalab System100以加強刻蝕控制

· 選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性，并可以放置在遠端，遠離主要工藝設備

工藝
***些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設備的例子：

· 低溫硅刻蝕，深硅刻蝕和SOI工藝，應用于MEMS ，微流體技術和光子技術

· 用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝，通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應用，材料范圍廣泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）

·  GaN、AlGaN等的預生產和研發工藝，比如HBLED和其它功率器件的刻蝕

· 高品質，高速率SiO2沉積，應用于光子器件

· 金屬（Nb, W）刻蝕